Artikelnummer :
RS1GL R3G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 800mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C