Microsemi Corporation - APT200GN60B2G

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Artikelnummer:
APT200GN60B2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 283A 682W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GN60B2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT200GN60B2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 600V 283A 682W TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 283A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 600A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A
Leistung max : 682W
Energie wechseln : 13mJ (on), 11mJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 1180nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 50ns/560ns
Testbedingung : 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : -

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