Vishay Siliconix - SIUD401ED-T1-GE3

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SIUD401ED-T1-GE3 Preise (USD) [881611Stück Lager]

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Artikelnummer:
SIUD401ED-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD401ED-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIUD401ED-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806
Serie : TrenchFET® Gen III
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.573 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 33pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 0806
Paket / fall : PowerPAK® 0806

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