NGTB30N120L2WG Preise (USD) [9660Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NGTB30N120L2WG
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 60A 534W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
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NGTB30N120L2WG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NGTB30N120L2WG
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 60A 534W TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Last Time Buy
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 30A
Leistung max :
534W
Energie wechseln :
4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
310nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
116ns/285ns
Testbedingung :
600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
450ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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