Artikelnummer :
RN1425TE85LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
800mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
470 Ohms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
90 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
300MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
S-Mini