Toshiba Semiconductor and Storage - RN1425TE85LF

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Artikelnummer:
RN1425TE85LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1425TE85LF Produkteigenschaften

Artikelnummer : RN1425TE85LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 800mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 470 Ohms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 90 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 300MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : S-Mini

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