ON Semiconductor - FDG6332C-F085P

KEY Part #: K6525488

FDG6332C-F085P Preise (USD) [571366Stück Lager]

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Artikelnummer:
FDG6332C-F085P
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DUAL NP MOS SC70-6 20V.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDG6332C-F085P elektronische Komponenten. FDG6332C-F085P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDG6332C-F085P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG6332C-F085P Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDG6332C-F085P
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DUAL NP MOS SC70-6 20V
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Leistung max : 300mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363

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