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- Artikelnummer:
- S1BHE3/61T
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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S1BHE3/61T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
S1BHE3/61T
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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