Nexperia USA Inc. - PMEG3010AESBZ

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Artikelnummer:
PMEG3010AESBZ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMEG3010AESBZ Produkteigenschaften

Artikelnummer : PMEG3010AESBZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 480mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 3.5ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1.25mA @ 30V
Kapazität @ Vr, F : 32pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 2-XDFN
Supplier Device Package : DSN1006-2
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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