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- Artikelnummer:
- IXDN602SI
- Hersteller:
- IXYS Integrated Circuits Division
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
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- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXDN602SI Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXDN602SI
Hersteller :
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Kanaltyp :
Independent
Anzahl der Treiber :
2
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
2A, 2A
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package :
8-SOIC-EP
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