Artikelnummer :
HIP2101EIB
Hersteller :
Renesas Electronics America Inc.
Beschreibung :
IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
Angetriebene Konfiguration :
Half-Bridge
Gate-Typ :
N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
9V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 2.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
2A, 2A
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
114V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
10ns, 10ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package :
8-SOIC-EP