RN1106MFV,L3F Preise (USD) [3519812Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RN1106MFV,L3F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RN1106MFV,L3F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RN1106MFV,L3F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
150mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-723
Supplier Device Package :
VESM
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