Infineon Technologies - BBY6605WE6327HTSA1

KEY Part #: K6462312

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    Artikelnummer:
    BBY6605WE6327HTSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - SCRs - Module ...
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BBY6605WE6327HTSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BBY6605WE6327HTSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Kapazität @ Vr, F : 13.5pF @ 4.5V, 1MHz
    Kapazitätsverhältnis : 5.41
    Kapazitätsverhältnis Bedingung : C1/C4.5
    Spannung - Peak Reverse (Max) : 12V
    Diodentyp : 1 Pair Common Cathode
    Q @ Vr, F : -
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SC-70, SOT-323
    Supplier Device Package : PG-SOT323-3

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