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- Artikelnummer:
- PMDPB95XNE,115
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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PMDPB95XNE,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMDPB95XNE,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
143pF @ 15V
Leistung max :
475mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
DFN2020-6
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