JANTXV1N6073 Preise (USD) [4597Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- JANTXV1N6073
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1.5A SFST 50V HR V
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N6073 elektronische Komponenten. JANTXV1N6073 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N6073 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
JANTXV1N6073 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
JANTXV1N6073
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/503
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
850mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.04V @ 9.4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
A, Axial
Supplier Device Package :
A-PAK
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 155°C
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