Nexperia USA Inc. - PSMN1R7-30YL,115

KEY Part #: K6420119

PSMN1R7-30YL,115 Preise (USD) [161941Stück Lager]

  • 1 pcs$0.22840
  • 1,500 pcs$0.18749

Artikelnummer:
PSMN1R7-30YL,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PSMN1R7-30YL,115 elektronische Komponenten. PSMN1R7-30YL,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSMN1R7-30YL,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R7-30YL,115 Produkteigenschaften

Artikelnummer : PSMN1R7-30YL,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 77.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5057pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 109W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669