Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3BHE3/9AT

KEY Part #: K6446976

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    Artikelnummer:
    RS3BHE3/9AT
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division RS3BHE3/9AT elektronische Komponenten. RS3BHE3/9AT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RS3BHE3/9AT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3BHE3/9AT Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RS3BHE3/9AT
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 2.5A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 100V
    Kapazität @ Vr, F : 44pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DO-214AB, SMC
    Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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