IDT, Integrated Device Technology Inc - 70T633S10BC8

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Artikelnummer:
70T633S10BC8
Hersteller:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA. SRAM 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

70T633S10BC8 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 70T633S10BC8
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 10ns
Zugriffszeit : 10ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 256-LBGA
Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)
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