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Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 Preise (USD) [16879Stück Lager]

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Artikelnummer:
TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Clock / Timing - Taktpuffer, Treiber, Schnittstelle - Sensor, kapazitive Berührung, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Schnittstelle - Filter - Aktiv, Clock / Timing - Taktgeneratoren, PLLs, Frequenzsy, Linear - Videoverarbeitung, PMIC - Stromversorgungscontroller, Monitore and Embedded - Mikrocontroller - anwendungsspezifisch ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 elektronische Komponenten. TH58BYG2S3HBAI6 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TH58BYG2S3HBAI6 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : 25ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 67-VFBGA
Supplier Device Package : 67-VFBGA (6.5x8)

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