Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC

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Artikelnummer:
ZXMHC3A01N8TC
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMHC3A01N8TC Produkteigenschaften

Artikelnummer : ZXMHC3A01N8TC
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.17A, 1.64A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V
Leistung max : 870mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP

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