CMF01(TE12L,Q,M) Preise (USD) [635119Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CMF01(TE12L,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V 2A M-FLAT
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage CMF01(TE12L,Q,M) elektronische Komponenten. CMF01(TE12L,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CMF01(TE12L,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
CMF01(TE12L,Q,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CMF01(TE12L,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2V @ 2A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
100ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-128
Supplier Device Package :
M-FLAT (2.4x3.8)
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
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- SM4933A-TP
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