ES6U1T2R Preise (USD) [701059Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ES6U1T2R
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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ES6U1T2R Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ES6U1T2R
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 6V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-WEMT
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
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