BYM12-100HE3_A/H Preise (USD) [726943Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BYM12-100HE3_A/H
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,100V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-100HE3_A/H elektronische Komponenten. BYM12-100HE3_A/H kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BYM12-100HE3_A/H haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BYM12-100HE3_A/H Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BYM12-100HE3_A/H
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package :
DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
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- 20ETF02
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- BAS16WF