Microsemi Corporation - APTCV60HM70RT3G

KEY Part #: K6533684

Familienkategorien:: KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs and Transistoren - IGBTs - Arrays ...

Wettbewerbsvorteil:: Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G elektronische Komponenten. APTCV60HM70RT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTCV60HM70RT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com

Artikelnummer : APTCV60HM70RT3G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : POWER MOD FULL BRIDGE SP3

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

IGBT-Typ : Trench Field Stop

Aufbau : Full Bridge Inverter

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 50A

Leistung max : 250W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

Eingang : Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor : Yes

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP3

Supplier Device Package : SP3

Sie könnten auch interessiert sein an

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Heiße Teile