Vishay Semiconductor Diodes Division - VTVS12ASMF-M3-08

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Artikelnummer:
VTVS12ASMF-M3-08
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
TVS DIODE 12.4V 20.1V DO219AB. ESD Suppressors / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VTVS12ASMF-M3-08 elektronische Komponenten. VTVS12ASMF-M3-08 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VTVS12ASMF-M3-08 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VTVS12ASMF-M3-08 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VTVS12ASMF-M3-08
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : TVS DIODE 12.4V 20.1V DO219AB
Serie : TransZorb®
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : 1
Bidirektionale Kanäle : -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 12.4V
Spannung - Durchschlag (min.) : 14V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 20.1V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 19.01A
Leistung - Spitzenimpuls : 400W
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : General Purpose
Kapazität bei Frequenz : 807pF @ 1MHz
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)

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  • VTVS12ASMF-M3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TVS DIODE 12.4V 20.1V DO219AB. ESD Suppressors / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1