IGB03N120H2ATMA1 Preise (USD) [96764Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IGB03N120H2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IGB03N120H2ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IGB03N120H2ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
9.6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
9.9A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 3A
Leistung max :
62.5W
Energie wechseln :
290µJ
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
22nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
9.2ns/281ns
Testbedingung :
800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
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