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- Artikelnummer:
- IPI80N06S4L05AKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI80N06S4L05AKSA1 elektronische Komponenten. IPI80N06S4L05AKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI80N06S4L05AKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI80N06S4L05AKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI80N06S4L05AKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8180pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
107W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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