Infineon Technologies - IDW30E65D1FKSA1

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Artikelnummer:
IDW30E65D1FKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDW30E65D1FKSA1 elektronische Komponenten. IDW30E65D1FKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDW30E65D1FKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW30E65D1FKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDW30E65D1FKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 115ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247-3
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

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