ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16800H-75BLI-TR

KEY Part #: K939412

IS42RM16800H-75BLI-TR Preise (USD) [25036Stück Lager]

  • 1 pcs$2.18988
  • 2,500 pcs$2.17899

Artikelnummer:
IS42RM16800H-75BLI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Datenerfassung - Touchscreen-Controller, Datenerfassung - analoges Frontend (AFE), Schnittstelle - Telekommunikation, Schnittstelle - Sprachaufzeichnung und Wiedergabe, Datenerfassung - Analog-Digital-Wandler (ADC), Clock / Timing - Verzögerungszeilen, Embedded - System On Chip (SoC) and PMIC - AC DC Converter, Offline-Umschalter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI-TR elektronische Komponenten. IS42RM16800H-75BLI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS42RM16800H-75BLI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42RM16800H-75BLI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS42RM16800H-75BLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile
Speichergröße : 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz : 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 6ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TFBGA
Supplier Device Package : 54-TFBGA (8x8)

Neuesten Nachrichten

Sie könnten auch interessiert sein an
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.