S27KL0641DABHB030 Preise (USD) [25187Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- S27KL0641DABHB030
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor Corp
- Detaillierte Beschreibung:
- IC 64 MB FLASH MEMORY. DRAM IC 64 Mb FLASHMEM
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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S27KL0641DABHB030 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
S27KL0641DABHB030
Hersteller :
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung :
IC 64 MB FLASH MEMORY
Serie :
Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
PSRAM
Technologie :
PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße :
64Mb (8M x 8)
Taktfrequenz :
100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
40ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
24-VBGA
Supplier Device Package :
24-FBGA (6x8)
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