Infineon Technologies - FF225R12ME4PBPSA1

KEY Part #: K6532667

FF225R12ME4PBPSA1 Preise (USD) [769Stück Lager]

  • 1 pcs$60.33190

Artikelnummer:
FF225R12ME4PBPSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MEDIUM POWER ECONO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies FF225R12ME4PBPSA1 elektronische Komponenten. FF225R12ME4PBPSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FF225R12ME4PBPSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF225R12ME4PBPSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FF225R12ME4PBPSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MEDIUM POWER ECONO
Serie : EconoDUAL™ 3
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 450A
Leistung max : 20mW
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 225A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 13nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.