Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AIT:H

KEY Part #: K938189

MT47H32M16NF-25E AIT:H Preise (USD) [19486Stück Lager]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,368 pcs$2.35152

Artikelnummer:
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Analogschalter - Spezialzweck, PMIC - V / F- und F / V-Wandler, Embedded - Mikrocontroller - anwendungsspezifisch, PMIC - Spannungsregler - Lineare Reglerregler, PMIC - Aktuelle Verordnung / Management, PMIC - LED-Treiber, Schnittstelle - Signalabschlüsse and Uhr / Timing - IC-Batterien ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT:H elektronische Komponenten. MT47H32M16NF-25E AIT:H kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MT47H32M16NF-25E AIT:H haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AIT:H Produkteigenschaften

Artikelnummer : MT47H32M16NF-25E AIT:H
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 400ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 84-TFBGA
Supplier Device Package : 84-FBGA (8x12.5)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)