Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3DHE3/9AT

KEY Part #: K6446973

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    Artikelnummer:
    RS3DHE3/9AT
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3DHE3/9AT Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RS3DHE3/9AT
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 2.5A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 200V
    Kapazität @ Vr, F : 44pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DO-214AB, SMC
    Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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