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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400D-3DBI-TR

KEY Part #: K936674

IS43DR86400D-3DBI-TR Preise (USD) [14733Stück Lager]

  • 1 pcs$3.46793
  • 2,000 pcs$3.45068
Artikelnummer:
IS43DR86400D-3DBI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations, PMIC - Power Distribution Switches, Lasttreiber, PMIC - Spannungsregler - Linear + Schalten, PMIC - Spannungsregler - DC DC Schaltregler, Logik - Signalschalter, Multiplexer, Decoder, Uhr / Timing - Echtzeituhren, Schnittstelle - Serialisierer, Deserialisierer and Audio-Spezialzweck ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBI-TR elektronische Komponenten. IS43DR86400D-3DBI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43DR86400D-3DBI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400D-3DBI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS43DR86400D-3DBI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 450ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TWBGA (8x10.5)

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