Infineon Technologies - D650N08TXPSA1

KEY Part #: K6440615

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    Artikelnummer:
    D650N08TXPSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 800V 650A.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies D650N08TXPSA1 elektronische Komponenten. D650N08TXPSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu D650N08TXPSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    D650N08TXPSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : D650N08TXPSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 650A
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 650A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 450A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20mA @ 800V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : DO-200AA, A-PUK
    Supplier Device Package : -
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 180°C

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