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- Artikelnummer:
- FJV3112RMTF
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FJV3112RMTF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FJV3112RMTF
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
40V
Widerstand - Basis (R1) :
47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
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