BAV19W-HE3-08 Preise (USD) [2192764Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BAV19W-HE3-08
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BAV19W-HE3-08 elektronische Komponenten. BAV19W-HE3-08 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BAV19W-HE3-08 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BAV19W-HE3-08 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BAV19W-HE3-08
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100nA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-123
Supplier Device Package :
SOD-123
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
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