Artikelnummer :
TC4421ESM713
Hersteller :
Microchip Technology
Beschreibung :
IC MOSFET DVR 9A HS INV 8-SOIJ
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
9A, 9A
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
60ns, 60ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIJ