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GeneSiC Semiconductor - MBR40035CT

KEY Part #: K6468555

MBR40035CT Preise (USD) [1194Stück Lager]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$22.40463
Artikelnummer:
MBR40035CT
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Schottky Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - spezieller Zweck ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR40035CT elektronische Komponenten. MBR40035CT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR40035CT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR40035CT Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR40035CT
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 400A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 200A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1mA @ 35V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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