ON Semiconductor - RD0106T-H

KEY Part #: K6445017

RD0106T-H Preise (USD) [2252Stück Lager]

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Artikelnummer:
RD0106T-H
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 1A TP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD0106T-H Produkteigenschaften

Artikelnummer : RD0106T-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A TP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package : TP
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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