Infineon Technologies - BSM75GD120DN2BOSA1

KEY Part #: K6534166

BSM75GD120DN2BOSA1 Preise (USD) [501Stück Lager]

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Artikelnummer:
BSM75GD120DN2BOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Zener - Single ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM75GD120DN2BOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSM75GD120DN2BOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 103A
Leistung max : 520W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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