Micron Technology Inc. - EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

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Artikelnummer:
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 64MX16 FBGA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Produkteigenschaften

Artikelnummer : EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße : 1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz : 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 134-VFBGA
Supplier Device Package : 134-VFBGA (10x11.5)