Microsemi Corporation - APT35GP120BG

KEY Part #: K6421899

APT35GP120BG Preise (USD) [5043Stück Lager]

  • 1 pcs$8.58958
  • 10 pcs$7.42932
  • 25 pcs$6.87192
  • 100 pcs$6.31475
  • 250 pcs$5.75757

Artikelnummer:
APT35GP120BG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 96A 543W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT35GP120BG elektronische Komponenten. APT35GP120BG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT35GP120BG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GP120BG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT35GP120BG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 96A 543W TO247
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 140A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A
Leistung max : 543W
Energie wechseln : 750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 16ns/94ns
Testbedingung : 600V, 35A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]