Taiwan Semiconductor Corporation - BZT52B8V2-G RHG

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Artikelnummer:
BZT52B8V2-G RHG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123. Zener Diodes Zener 350mW 2% 8V2
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52B8V2-G RHG Produkteigenschaften

Artikelnummer : BZT52B8V2-G RHG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Serie : -
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 8.2V
Toleranz : ±2%
Leistung max : 410mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 15 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 700nA @ 5V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 10mA
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-123
Supplier Device Package : SOD-123

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