RQ3G100GNTB Preise (USD) [591532Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RQ3G100GNTB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 10A TSMT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RQ3G100GNTB elektronische Komponenten. RQ3G100GNTB kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RQ3G100GNTB haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RQ3G100GNTB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RQ3G100GNTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
615pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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