Infineon Technologies - BSM35GD120DN2

KEY Part #: K6533307

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    Artikelnummer:
    BSM35GD120DN2
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT BSM35GD120DN2BOSA1.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSM35GD120DN2 elektronische Komponenten. BSM35GD120DN2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM35GD120DN2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSM35GD120DN2 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BSM35GD120DN2
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : NPT
    Aufbau : Three Phase Inverter
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 50A
    Leistung max : 280W
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 35A
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : -
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
    Eingang : Standard
    NTC-Thermistor : No
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : Module
    Supplier Device Package : Module

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