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GeneSiC Semiconductor - MBR12030CTR

KEY Part #: K6468968

MBR12030CTR Preise (USD) [1424Stück Lager]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.79770
Artikelnummer:
MBR12030CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 120A Schottky Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR12030CTR elektronische Komponenten. MBR12030CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR12030CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR12030CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR12030CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 120A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 650mV @ 60A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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