Samsung Semiconductor - K9F2G08U0D-SIB0

KEY Part #: K7360080

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    Artikelnummer:
    K9F2G08U0D-SIB0
    Hersteller:
    Samsung Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: LPDDR3, DDR4, LPDDR4, HBM Flarebolt, GDDR5, SLC Nand, GDDR6 and LPDDR4X ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K9F2G08U0D-SIB0 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : K9F2G08U0D-SIB0
    Hersteller : Samsung Semiconductor
    Beschreibung : 2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
    Serie : DDR3
    Dichte : 2 Gb
    Org. : x8
    VCC-Strecke : 2.7 ~ 3.6 V
    I / O-Geschwindigkeit : 40 Mbps
    Verpackung : TSOP
    Pin, Anzahl der : 48
    Temp. : -40 ~ 85 °C
    ECC : On-Chip ECC
    Produckstatus : Sample

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