Vishay Semiconductor Diodes Division - SB2J-M3/52T

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SB2J-M3/52T Preise (USD) [917506Stück Lager]

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Artikelnummer:
SB2J-M3/52T
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 2A, 600V, GPP, STD, SM, RECT
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division SB2J-M3/52T elektronische Komponenten. SB2J-M3/52T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SB2J-M3/52T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SB2J-M3/52T Produkteigenschaften

Artikelnummer : SB2J-M3/52T
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 2A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AA, SMB
Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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