Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
14V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8075pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)