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Microsemi Corporation - APT54GA60BD30

KEY Part #: K6422300

APT54GA60BD30 Preise (USD) [11700Stück Lager]

  • 1 pcs$3.52198
  • 69 pcs$3.52196
Artikelnummer:
APT54GA60BD30
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 96A 416W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT54GA60BD30 elektronische Komponenten. APT54GA60BD30 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT54GA60BD30 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT54GA60BD30 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT54GA60BD30
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 600V 96A 416W TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 161A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 32A
Leistung max : 416W
Energie wechseln : 534µJ (on), 466µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 17ns/112ns
Testbedingung : 400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]

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